| Компания Intel совместно с сотрудниками Калифорнийского Университета Санта-Барбары разработали и произвели первые образцы гибридного кремниевого лазера (Hybrid Silicon Laser). При этом исследователи использовали стандартный технологический процесс, что позволяет снизить стоимость устройств. Основной особенностью гибридных лазеров является использование фосфида индия наряду с традиционным кремнием, который отличается более подходящими светоизлучающими свойствами. Таким образом, при приложении к чипу определенного напряжения в структуре фосфида индия осуществляется генерация электромагнитного излучения, которое затем распространяется по кремниевому волноводу. Необходимым инструментарием для формирования подобной гибридной структуры, состоящей из двух различных по свойствам систем, кремния и фосфида индия, стала низкотемпературная кислородная плазма. С ее помощью разработчики сформировали тонкий (около 25 атомов) слой оксида на поверхности обоих материалов, который играет роль прозрачного для лазерного излучения связующего звена. Подобное сочетание свойств двух полупроводниковых материалов позволяет создавать высокоэффективные гибридные лазеры, которые станут основой для производительных устройств передачи данных. Как уже говорилось, основное достижение американских ученых - разработка технологии производства недорогих коммуникационных систем на базе HSL-чипов. "Благодаря этой разработке мы сможем создавать недорогие оптические шины данных с терабитной пропускной способностью для компьютеров будущего. Тем самым мы сможем приблизить наступление новой эры высокопроизводительных вычислений, - отметил Марио Паниччиа (Mario Paniccia), директор лаборатории Photonics Technology Lab в корпорации Intel. - Несмотря на то, что до начала коммерческого использования этой технологии еще очень далеко, мы уверены, что на одной микросхеме можно будет разместить десятки и даже сотни гибридных кремниевых лазеров".
| 
